Intel e UMC anunciam uma nova colaboração para fundição

A Intel Corp. e a United Microelectronics Corporation anunciaram que vão colaborar no desenvolvimento de uma plataforma de processo de semicondutores de 12 nanômetros para atender a mercados de alto crescimento, como portáteis, infraestrutura de comunicação e rede.

O acordo de longo prazo reúne a capacidade de fabricação em escala dos EUA e a extensa experiência em fundição da UMC em nós maduros para permitir “um portfólio de processos expandido”.

Também oferece aos clientes globais “maior escolha em suas decisões de obtenção de fornecimento com acesso a uma cadeia de fornecimento geograficamente mais diversificada e resiliente”.

Stuart Pann, vice-presidente sênior e gerente geral da Intel Foundry Services (IFS) explicou que “Taiwan tem sido uma parte crítica do ecossistema de semicondutores asiáticos e globais e de tecnologia mais ampla por décadas, e a Intel está comprometida em colaborar com empresas inovadoras em Taiwan, como a UMC, para ajudar a melhor atender aos clientes globais”.

Já Jason Wang, copresidente da UMC, disse: “Nossa colaboração com a Intel em um processo de 12 nm fabricado pelos EUA com recursos FinFET é um passo à frente em nossa estratégia de buscar expansão de capacidade econômica e avanço de nó de tecnologia para continuar nosso compromisso com os clientes.”

O nó de 12 nm utilizará a capacidade de fabricação e a experiência de alto volume da Intel nos EUA no projeto de transistores FinFET, oferecendo “uma forte combinação de maturidade, desempenho e eficiência energética”.

O novo nó de processo será desenvolvido e fabricado nas Fabs 12, 22 e 32 na unidade de fabricação de tecnologia Ocotillo da Intel no Arizona. Aproveitar os equipamentos existentes nessas fabs reduzirá significativamente os requisitos de investimento antecipados e otimizará a utilização.